BETWA西汉姆联

3月18日，BETWA西汉姆联结合第三代半导体产业技术创新战术联盟召开了SiC功率器件制作设备调研专家座谈会。BETWA西汉姆联理事长、、主任曹健林，中国工程院院士干勇，第三代半导体联盟理事长吴玲，中国科学院上海高档钻研院钻研员封松林，北京大学教授沈波和安世半导体全球研发副总裁姜克等二十多位辅导和专家出席了会议。

座谈会上，封松林钻研员介绍了SiC功率器件制作设备的调研布景，曹健林主任介绍了BETWA西汉姆联对大功率半导体设备研颁布局和成就，干勇院士强调了8英寸SiC功率器件设备布局的重要性。第三代半导体联盟副理事长杨富华钻研员针对SiC功率器件制作设备前期调研了局作了具体汇报，并对下一措施研工作打算作了介绍。专家组对8英寸SiC功率器件设备主题关键技术问题、、重点研发工作和补短板建优势的对策建议作了深刻互换和会商，暗示支持对SiC功率器件制作设备进行系统、、全面的调研工作，为8英寸SiC功率器件设备研制做好筹备。